内存大小容量识别

内存大小容量识别 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国(含台湾省)厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考: 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下: 现代电子HYUNDAI:HY,注:代号, 三星SAMSUNG:KM或M NBM:AAA 西门子SIEMENS:HYB 高士达LG-SEMICON:GM HITSUBISHI:M5M 富士通FUJITSU:MB 摩托罗拉MOTOROLA:MCM MATSUSHITA:MN OKI:MSM 美凯龙MICRON:MT 德州仪器TMS:TI 东芝TOSHIBA:TD或TC 日立HITACHI:HM STI:TM 日电NEC:uPD IBM:BM NPNX:NN 一.日本产系列: 主要厂家有Hitachi,日立,，Toshiba,东芝,，NEC,日电,，Mitsubishi,三菱,等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI,日立,。 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式: HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度: 75:7.5ns,133MHz, 80:8ns,125MHz, A60:10ns,PC-100 CL2或3, B60:10ns,PC-100 CL3, 例如:HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式: μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX μPD4代表是NEC的产品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽 为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面 的数字造成影响。 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank;"2"代 表2个Bank。 第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOPII封装。 -A后的XX是代表速度: 80:8ns,125MHz, 10:10ns,PC100 CL 3, 10B:10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。 12:12ns 70:,PC133, 75:,PC133, 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 -X44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。 例如:μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。 3.TOSHIBA东芝。 TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式: TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 FT为TSOPII封装。 FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 最后的XX是代表速度: 75:7.5ns,133MHz, 80:8ns,125MHz, 10:10ns,100MHz CL=3, 例如:TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。 二.韩国产系列: 韩国现在的SEC三星和HY(现代，它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。 1.SEC,Samsung Electronics,三星。 三星的SDRAM芯片的标识为以下格式: KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的产品。 三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。 "S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。 "0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。 "0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。 "0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 "T"为TSOP封装。 速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。 "G/F"后的X代表速度: 7:7ns,143MHz, 8:8ns,125MHz, H:10ns,PC100 CL2或3, L:10ns,PC100 CL3, 10:10ns,100MHz, 例如:KM416S4031BT-GH，是64Mbit,16*4,，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。 三星公布的标准PC133芯片: Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 2.HYUNDAI现代 现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。 现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式: HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY代表是现代的产品。 5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。 第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V "U"为2.5V。 第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下: 16:16Mbits，4K Ref。 64:64Mbits，8K Ref。 65:64Mbits，4K Ref。 128:128Mbits，8K Ref。 129:128Mbits，4K Ref。 256:256Mbits，16K Ref。 257:256Mbits，8K Ref。 第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是 2的幂次关系。 第9个X一般为0，代表LVTTL,Low Voltage TTL,接口。 第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。 第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第12、13个X代表封装形式，分别如下: JC:400mil SOJ TC:400mil TSOP-II TD:13mm TSOP-II TG:16mm TSOP-II 最后几位为速度: 7:7ns,143MHz, 8:8ns,125MHz, 10p:10ns,PC-100 CL2或3, 10s:10ns,PC-100 CL3, 10:10ns,100MHz, 12:12ns,83MHz, 15:15ns,66MHz, 例如:常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-?封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。 3.LGS,LG Semicon, LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。 LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式: GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表为LGS的产品。 72代表SDRAM。 第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。 第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。 第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第6个X表示是第几人版本的内核 第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。 "T"为常见的TSOP?封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。 最后的XX自然是代表速度: 7.5:7.5ns,133MHz, 8:8ns,125MHz, 7K:10ns,PC-100 CL2或3, 7J:10ns,100MHz, 10K:10ns,100MHz, 12:12ns,83MHz, 15:15ns,66MHz, 例如:GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求(CL=3)SDRAM。 三.欧美生产系列及其它: 在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。 1.Micron。 Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式: MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT代表是Micron的产品。 48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。 Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。 M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 AX代表Write Recovery,Twr,，如A2表示Twr=2clk。 TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。 最后的XX是代表速度: 7:7ns,143MHz, 75:7.5ns,133MHz, 8X:8ns,125MHz, 其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为:3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。 10:10ns,100MHz CL3, 速度后如有L则为低耗。 2.IBM。 PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。 IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式: IBM03 XX XX X XT3X ---XXX IBM代表为IBM的产品。 IBM的SDRAM产品均为03。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。 一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。 第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。 第6个X为P为低功耗，C为普通。 第7个X表示内核的版本。 最后的XXX代表速度: 68: 6.8ns,147MHz, 75A: 7.5NS,133MHz, 260或222:10ns,PC100 CL2或3, 360或322:10ns,PC100 CL3,在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ。 10:10NS,100MHz, 例如:IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。 3.SIEMENS,西门子, 芯片标识:HYB39S xx xx0 x T x -xx 前两个xx为容量最后两位xx是速度: 6—166MHz 7—143MHz 7.5—133MHz 8—125MHz 8B—100MHz,CL3, 10—100MHz,PC66规格,