Virtuoso Editing的使用简介
第二章. Virtuoso Editing的使用简介
全文将用一个贯穿始终的例子来
说明
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如何绘制版图。这个例子绘制的是一个最简单的非门的版图。
§ 2-1 建立版图文件
使用library manager。首先,建立一个新的库myLib,关于建立库的步骤,在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了,就不再赘述。与前面有些不同的地方是:由于我们要建立的是一个版图文件,因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file,因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框,如图2-1-1所示。
图2-1-1
在ASCII Technology File中填入csmc1o0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cell了。为了完备起见,读者可以先建立inv的schematic view和symbol view(具体步骤前面已经介绍,其中pmos长6u,宽为0.6u。nmos长为3u,宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n)。然后建立其layout view,其步骤为:在tool中选择virtuoso-layout,然后点击ok。
§ 2-2 绘制inverter掩膜版图的一些准备工作
首先,在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗
图2-2-1 virtuoso editing窗口
口,如图2-2-1所示。
版图视窗打开后,掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成:Icon menu , menu banner , status banner.
Icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边,列出了一些最常用的命令的图标,要查看图标所代
表
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的指令,只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上,图标下方即会显示出相应的指令。
menu banner(菜单栏),包含了编辑版图所需要的各项指令,并按相应的类别分组。几个常用的指令及相应的快捷键列举如下:
Zoom In -------放大 (z)
Zoom out by 2------- 缩小2倍(Z)
Save ------- 保存编辑(f2)
Delete ------- 删除编辑(Del)
Undo ------- 取消编辑(u)
Redo -------恢复编辑 (U)
Move ------- 移动(m)
Stretch ------- 伸缩(s)
Rectangle -------编辑矩形图形(r)
Polygon ------- 编辑多边形图形(P)
Path ------- 编辑布线路径(p)
Copy -------复制编辑 (c)
status banner(状态显示栏),位于menu banner的上方,显示的是坐标、当前编辑指令等状态信息。
在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口(Layer and Selection Window LSW)。
LSW视图的功能:
1) 可选择所编辑图形所在的层;
2) 可选择哪些层可供编辑;
3) 可选择哪些层可以看到。
由于我们所需的部分版图层次在初始LSW中并不存在,因此下一步要做的是:建立我们自己的工艺库所需的版图层次及其显示属性。为了简单起见,以下仅列出绘制我们这个版图所需的最少版图层次。
层次名称
说明
Nwell
N阱
Active
有源区
Pselect
P型注入掩膜
Nselect
N型注入掩膜
Contact
引线孔,连接金属与多晶硅/有源区
Metal1
第一层金属,用于水平布线,如电源和地
Via
通孔,连接metal1和metal2
Metal2
第二层金属,用于垂直布线,如信号源的I/O口
Text
标签
Poly
多晶硅,做mos的栅
下图是修改后的LSW。
图2-2-2 LSW
如何来修改LSW中的层次呢?以下就是步骤:
1. 切换至CIW窗口,在technology file的下拉菜单中选择最后一项edit layers出现如图窗口
图2-2-3 edit layers
2. 在technology library中选择库mylib,先使用delete 功能去除不需要的层次。然后点击add添加必需的层次,add打开如下图的窗口:
图2-2-4
其中,layer name中填入所需添加的层的名称。Abbv是层次名称缩写。Number是系统给层次的内部编号,系统保留128-256的数字作为其默认层次的编号而将1-127留给开发者创造新层次。Purpose是所添加层次的功用,如果是绘图层次,一般选择drawing。Priority是层次在LSW中的排序位置。其余的选项一般保持默认值。在右边是图层的显示属性。可以直接套用其中某些层次的显示属性。也可以点击edit resources自己编辑显示属性。如图2-2-5所示(这个窗口还可以在LSW中调出) 编辑方法很简单,读者可以自己推敲,就不再赘述。上述工作完毕后就得到我们所需的层次。接着我们就可以开始绘制版图了。
§ 2-3 绘制版图
1. 画pmos的版图(新建一个名为pmos的cell)
1. 画出有源区
在LSW中,点击active(dg),注意这时LSW顶部显示active字样,说明active层为当前所选层次。然后点击icon menu中的rectangle icon,在vituoso editing窗口中画一个宽为3.6u,长为6u的矩形。这里我们为了定标,必须得用到标尺。点击misc/ruler即可得到。清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错,点击需要去除的部分,然后点击delete icon。
2. 画栅
在LSW中,点击poly(dg),画矩形。与有源区的位置关系如下图:
0.6u 0.6u(gate length)
6u(gate width)
1.5u
3.6u
图2-2-5 display resource editor
3.画整个pmos
为了表明我们画的是pmos管,我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层,这一层将覆盖整个有源区0.6u。接着,我们还要在整个管子外围画上nwell,它覆盖有源区1.8u。如下图所示:
pselect
00.6u0.6u
1.8u
nwell
4.衬底连接
pmos的衬底(nwell)必须连接到vdd。首先,画一个1.2u乘1.2u的active矩形;然后在这个矩形的边上包围一层nselect层(覆盖active0。6u)。最后将nwell的矩形拉长,完成后如下图所示:
nselect
active
pselect
这样一个pmos的版图就大致完成了。接着我们要给这个管子布线。
2. 布线
pmos管必须连接到输入信号源和电源上,因此我们必须在原图基础上布金属线。
1. 首先我们要完成有源区(源区和漏区)的连接。在源区和漏区上用contact(dg)层分别画三个矩形,尺寸为0.6乘0.6。注意:contact间距为1.5u。
2. 用metal1(dg)层画两个矩形,他们分别覆盖源区和漏区上的contact,覆盖长度为0.3u。
3. 为完成衬底连接,我们必须在衬底的有源区中间添加一个contact。这个contact每边都被active覆盖0.3u。
4. 画用于电源的金属连线,宽度为3u。将其放置在pmos版图的最上方。
布线完毕后的版图如下图所示:
图2-3-1 pmos版图
通过以上步骤我们完成了pmos的版图绘制。接下来我们将绘制出nmos的版图。
3. 画nmos的版图
绘制nmos管的步骤同pmos管基本相同(新建一个名为nmos的cell)。无非是某些参数变化一下。下面给出nmos管的图形及一些参数,具体绘制步骤就不再赘述。
3.6u
0.6u
0.6u 3u
3u
图2-3-2nmos版图
4. 完成整个非门的绘制及绘制输入、输出
1. 新建一个cell(inv)。将上面完成的两个版图拷贝到其中,并以多晶硅为基准将两图对齐。然后,我们可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。
2. 输入:为了与外部电路连接,我们需要用到metal2。但poly和metal2不能直接相连,因此我们必须得借助metal1完成连接。具体步骤是:
a. 在两mos管之间画一个0.6乘0.6的contact
b. 在这个contact上覆盖poly,过覆盖0.3u
c. 在这个contact的左边画一个0.6乘0.6的via,然后在其上覆盖metal2(dg),过覆盖0.3u
d. 用metal1连接via和contact,过覆盖为0.3u
从下图中可以看得更清楚:
via contact
metal2
metal1
poly
3. 输出:先将两版图右边的metal1连起来(任意延长一个的metal1,与另一个相交)。然后在其上放置一个via,接着在via上放置metal2。
五.作标签
1. 在LSW中选择层次text(d3),点击create/label,在弹出窗口中的label name中填入vdd!并将它放置在版图中相应的位置上。
2. 按同样的方法创制gnd!、A和Out的标签。完成后整个的版图如下:
图2-3-4 非门的版图
至此,我们已经完成了整个非门的版图的绘制。下一步将进行DRC检查,以检查版图在绘制时是否有同
设计
领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计
规则不符的地方。