S3C2410中文手册第六章

S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 1 页 共 9 页 第六章 NAND FLASH控制器 6.1概述...................................................................................................................................................... 2 6.2特性...................................................................................................................................................... 2 6.2.1自动导入模式步骤....................................................................................................................... 3 6.2.2NAND FLASH 模式配置 .............................................................................................................. 3 6.2.3NAND FLASH 存储器时序 .......................................................................................................... 4 6.2.4管脚配置....................................................................................................................................... 4 6.2.5系统引导和NAND FLASH配置 ................................................................................................... 4 6.2.6NAND Flash存储空间分布 ........................................................................................................... 5 6.3专用寄存器 .......................................................................................................................................... 6 6.3.1NAND FLASH 配置(NFCONF)寄存器 ........................................................................................ 6 6.3.2NAND FLASH 命令设置（NFCMD）寄存器 ............................................................................ 7 6.3.3NAND FLASH地址设置 (NFADDR)寄存器 ................................................................................ 8 6.3.4NAND FLASH 数据 (NFDATA)寄存器....................................................................................... 8 6.3.5NAND FLASH ECC (NFECC) 寄存器 ......................................................................................... 9 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 6.1概述 当前，NOR flash存储器的价格比较昂贵，而SDRAM和NAND flash存储器的价格相对来说 比较合适，这样就激发了一些用户产生希望从NAND flash启动和引导系统，而在SDRAM上执 行主程序代码的想法。 S3C2410A恰好满足这一要求，它可以实现从NAND flash上执行引导程序。为了支持NAND flash的系统引导，S3C2410A具备了一个内部SRAM缓冲器，叫做“Steppingstone”。当系统 启动时，NAND flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到Steppingstone中，然后系统自 动执行这些载入的引导代码。 一般情况下，这4K的引导代码需要将NAND flash中程序内容拷贝到SDRAM中，在引导代 码执行完毕后跳转到SDRAM执行。使用S3C2410A内部硬件ECC功能可以对NAND flash的数 据进行有效性的检测。 6.2特性 z NAND Flash模式：支持读/擦/编程NAND flash存储器。 z 自动导入模式：复位后，引导代码被送入Steppingstone，传送后，引导代码在 Steppingstone中执行。 z 具备硬件ECC产生模块 (硬件产生，软件纠正) z 4-KB内部SRAM缓冲器Steppingstone，在NAND flash引导后可以作为其他用途使用。 图6-1 NAND flash控制器结构图 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 2 页 共 9 页 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 图6-2.NAND flash控制器的工作机制。 6.2.1自动导入模式步骤 1. 完成复位。 2. 如果自动导入模式使能，NAND flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone 内 部缓冲器中。 3. Steppingstone被映射到nGCS0。 4. CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开始执行引导代码。 注意： 在自动导入模式下，不进行ECC检测。因此，NAND flash的前4KB应确保不能有位错误（一 般Nandflash厂家都确保）。 6.2.2NAND FLASH 模式配置 1. 通过NFCONF寄存器配置NAND flash； 2. 写NAND flash命令到NFCMD寄存器； 3. 写NAND flash地址到NFADDR寄存器； 4. 在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得NAND flash的状态信息。应该在读操作前或写入 之后检查R/nB信号（准备好/忙信号）。 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 3 页 共 9 页 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 6.2.3NAND FLASH 存储器时序 图 6-3. TACLS = 0, TWRPH0 = 1, TWRPH1 = 0 6.2.4管脚配置 D[7:0] : 数据/命令/地址/的输入/输出口（与数据总线共享） CLE : 命令锁存使能 (输出) ALE : 地址锁存使能（输出） nFCE : NAND Flash 片选使能（输出） nFRE : NAND Flash 读使能 (输出) nFWE : NAND Flash 写使能 (输出) R/nB : NAND Flash 准备好/繁忙（输入） 6.2.5系统引导和 NAND FLASH配置 1. OM[1:0] = 00b：使能NAND flash控制器自动导入模式； 2. NAND flash的存储页面大小应该为512字节。 3. NCON ：NAND flash 寻址步骤数选择 0 : 3 步寻址 1 : 4 步寻址 512字节 ECC奇偶代码分配 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf DATA7 DATA6 DATA5 DATA4 DATA3 DATA2 DATA1 DATA0 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 4 页 共 9 页 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 5 页 共 9 页 ECC0 P64 P64’ P32 P32’ P16 P16’ P8 P8’ ECC1 P1024 P1024’ P512 P512’ P256 P256’ P128 P128’ ECC2 P4 P4’ P2 P2’ P1 P1’ P2048 P2048’ S3C2410A在写/读操作时，自动生成512字节的奇偶代码。每512字节数据产生3字节的ECC奇 偶代码。 24-位 ECC奇偶代码＝18-位行奇偶 ＋ 6-位列奇偶 ECC产生模块执行以下步骤： 1. 当MCU写数据到NAND时，ECC产生模块生成ECC代码。 2. 当MCU从NAND读数据时，ECC产生模块生成ECC代码同时用户程序将它与先前写入时产 生的ECC代码比较。 6.2.6NAND Flash存储空间分布 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 图6-4 NAND flash存储空间分布图 6.3专用寄存器 6.3.1NAND FLASH 配置(NFCONF)寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFCONF 0x4E000000 R/W NAND flash配置 – 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 6 页 共 9 页 S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 7 页 共 9 页 NFCONF Bit 描述 初始状态 使能/禁能 [15] NAND flash 控制器使能/禁能 0 =禁能NAND Flash 控制器 1 =使能NAND Flash 控制器 自动引导之后，该位被自动清零。若要访问NAND flash，该位必须设为1。 0 保留 [14:13] 保留 – 初始化ECC [12] 初始化ECC 解码器/编码器 0 : 不初始化ECC 1 : 初始化ECC (S3C2410A 只支持512字节的ECC核查，因此它 要求每512字节就要设置ECC的初始化。) 0 NAND Flash 存储器片使能 [11] NAND flash内存nFCE控制 0 : NAND flash nFCE = L (活跃的) 1 : NAND flash nFCE = H (不活跃的) (自动导后， nFCE 将是不活跃的.) – TACLS [10:8] CLE和ALE持续时间设置值（0～7），持续时间＝ HCLK * (TACLS + 1) 0 保留 [7] 保留 – TWRPH0 [6:4] TWRPH0持续时间设置值（0～7），持续时间＝ HCLK * (TWRPH0＋1) 0 保留 [3] 保留 – TWRPH1 [2:0] TWRPH1持续时间设置值（0～7），持续时间＝ HCLK * (TWRPH1＋1) 0 6.3.2NAND FLASH 命令设置（NFCMD）寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFCMD 0x4E000004 R/W NAND flash 命令设置寄存器 – NFCMD 位 描述 初始状态 Reserved [15:8] 保留 – S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 8 页 共 9 页 Command [7:0] NAND flash存储器命令值 0x00 6.3.3NAND FLASH地址设置 (NFADDR)寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFADDR 0x4E000008 R/W NAND flash 地址设置寄存器 – NFADDR 位 描述 初始值 保留 [15:8] 保留 – 地址 [7:0] NAND flash 存储器地址值 0x00 6.3.4NAND FLASH 数据 (NFDATA)寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFDATA 0x4E00000C R/W NAND flash 数据寄存器 – NFDATA 位 描述 初始状态 保留 [15:8] 保留 – Data [7:0] 对NAND flash进行读/写数据值： 在写入时：写入数据； 在读出时：读出数据。 – NAND FLASH操作状态 (NFSTAT)寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFSTAT 0x4E000010 R NAND flash 操作状态 – S3C2410A中文数据手册（第六章） 杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0） 杭州立宇泰电子有限公司 http://www.hzlitai.com.cn 电话：0571－89902166 85867313 Email：lyt_tech@yahoo.com.cn 第 9 页 共 9 页 NFSTAT 位 描述 初始值 保留 [16:1] 保留 – RnB [0] NAND flash 存储器的准备好/繁忙状态（该信号通过 R/nB引脚核查）。 0 = NAND flash存储器忙 1 = NAND flash存储器准备好 – 6.3.5NAND FLASH ECC (NFECC) 寄存器 寄存器 地址 R/W 描述 复位值 NFECC 0x4E000014 R NAND flash ECC (错误校正码)寄存器 – NFECC 位 描述 初始状态 ECC2 [23:16] 错误校正代码 #2 – ECC1 [15:8] 错误校正代码 #1 – ECC0 [7:0] 错误校正代码 #0 – 已经知道的问题 • 问题： NAND flash控制器不能通过DMA访问。 • 解决途径：使用像我们给的bootloader示例代码中的LDM/STM指令来代替DMA操作。 第六章 NAND FLASH控制器 6.1概述 6.2特性 6.2.1自动导入模式步骤 6.2.2NAND FLASH 模式配置 6.2.3NAND FLASH 存储器时序 6.2.4管脚配置 6.2.5系统引导和NAND FLASH配置 6.2.6NAND Flash存储空间分布 6.3专用寄存器 6.3.1NAND FLASH 配置(NFCONF)寄存器 6.3.2NAND FLASH 命令设置（NFCMD）寄存器 6.3.3NAND FLASH地址设置 (NFADDR)寄存器 6.3.4NAND FLASH 数据 (NFDATA)寄存器 6.3.5NAND FLASH ECC (NFECC) 寄存器