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主动被动 第五章 被動元件測量 ( ) 1. 一般市售元件規格皆以工作於那個頻率測試而得(A)100 (B)1k (C)10k (D)100k Hz。 ( ) 2. 下列有關三用表測量電阻時之敘述,何者錯誤?(A)不可將手觸及被測 電阻兩端 (B)每次更換檔位時,必須重作零歐姆調整(C)至少電阻其中 一端必須開路 (D)儘可能使指針指於滿刻度,可得較高準確度。 ( ) 3. 三用電表之零歐姆調整之作用是補償(A)電池老化 (B)電阻老化 (C) 電路損失 (D)檔位變化誤差。 ( ) 4. 設三用表的電阻...

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第五章 被動元件測量 ( ) 1. 一般市售元件規格皆以工作於那個頻率測試而得(A)100 (B)1k (C)10k (D)100k Hz。 ( ) 2. 下列有關三用 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 測量電阻時之敘述,何者錯誤?(A)不可將手觸及被測 電阻兩端 (B)每次更換檔位時,必須重作零歐姆調整(C)至少電阻其中 一端必須開路 (D)儘可能使指針指於滿刻度,可得較高準確度。 ( ) 3. 三用電表之零歐姆調整之作用是補償(A)電池老化 (B)電阻老化 (C) 電路損失 (D)檔位變化誤差。 ( ) 4. 設三用表的電阻檔中央刻度為20Ω,撥在¡1k 檔,測量某未知電阻時, 偏轉比為80%,試求未知電阻值應為 (A)2.5 (B)5 (C)10 (D)12.5 kΩ。 ( ) 5. 三用電表將選擇開關置於100R 檔測量電阻,指針指示在10 的位置上, 則此待測電阻應為 (A)100Ω (B)1kΩ (C)10kΩ (D)100kΩ。 ( ) 6. 使用3 2 1 位,誤差為(1% rdg+3 dgt)之數位複用表測量電阻,讀數為60.0 Ω,試求其誤差為 (A)0.7 (B)0.9 (C)3.6 (D)9 Ω。 ( ) 7. 惠斯頓電橋無法測量低電阻的原因是?(A)靈敏度不足 (B)接觸電阻影 嚮 (C)採用直流電源 (D)以上皆是。 ( ) 8. 下列何者用來測量0.1 歐姆以下的電阻值?(A)凱爾文電橋 (B)惠斯頓 電橋 (C)柯勞許電橋 (D)歐文電橋。 ( ) 9. 下列何種電阻電橋使用交流電源 (A)凱爾文電橋 (B)惠斯頓電橋(C) 柯勞許電橋 (D)以上皆是。 ( ) 10. 若欲測量含有電源的電阻時,應採用何種儀表?(A)歐姆表 (B)數位 式歐姆表 (C)伏特表、安培表 (D)示波器。 ( ) 11. 若以間接測量方式測量電路低阻抗元件,應以何種方式連接,才不至 於產生太大誤差? (A)先與電壓表並聯再與電流表串聯 (B)先與電流 表串聯再與電壓表並聯 (C)同時與電壓表、電流表並聯 (D)同時與電壓 表、電流表串聯。 ( ) 12. 使用伏特表、安培表間接測量高阻值電阻的應如何接線才能得到較正 確的結果? ( ) 13. 如圖測量電阻方式,若安培表指示0.2A,伏特表指示10V,設安培計 內阻2Ω,試求待測電阻實際值為 (A)50Ω (B)48Ω (C)40Ω (D)20Ω。 Created with novaPDF Printer (www.novaPDF.com) ( ) 14. 如圖所示使用安培表及伏特計測量電阻,若伏特表指示10V;安培表 指示0.5A,安培表電阻為2Ω,試求R 之值為 (A)20 (B)9 (C)19 (D)18 Ω。 ( ) 15. 若要測量接地電阻應使用(A)海氏 (B)凱爾文 (C)史林 (D)韋恩 電 橋。 ( ) 16. 使用三用電表測量電解電容,最後指針應指在那個位置最理想(A)0 (B)∞ (C)中央 (D)視檔位而定。 ( ) 17. 使用歐姆表測量電容時,若指針最後指在中央位置,表示該電容(A) 正常 (B)漏電量大 (C)斷路 (D)短路。 ( ) 18. 測試大容量電容器時,必須先注意 (A)極性 (B)耐壓值是否足夠(C) 量方法模式 (D)將電容器放電。 ( ) 19. 若三用電表歐姆表指示面板在R¡1k 檔中心刻度電阻20Ω,測量電解 電容時,指針由最大刻度回至零刻度時經歷5 秒,則此電容值約為(A)20 ¦ F (B)40¦ F (C)50¦ F (D)70¦ F。 ( ) 20. 下列何種電橋用以測定電容器?(A)馬克士威電橋 (B)史林電橋 (C) 韋恩電橋 (D)惠斯登電橋。 ( ) 21. 下列何者為史林電橋? ( ) 22. 如下圖之電橋,當電橋平衡時 Created with novaPDF Printer (www.novaPDF.com) ( ) 23. 下列何者電感電橋使用標準電容量測電感?(A)歐文 (B)馬克斯威 (C) 海氏 (D)以上皆是。 ( ) 24. 適用於高Q 值測量的電感電橋是(A)史林 (B)海氏 (C)歐文 (D)馬克 斯威。 ( ) 25. 如圖之電橋電路何者有誤 ( ) 26. RLC 串聯電路,加到E=10V,f=5kHz 的交流電源,調整電容C 使電路 電流值最大時,電容值C=0.002¦ F,試求電路之電感值(A)0.1H (B)0.5H (C)1H (D)1.2H。 ( ) 27. 下列何者非Q 表的主要結構? (A)可變頻率振盪器 (B)高輸入電阻電 壓表 (C)標準電容器 (D)以上都是Q 表主要結構。 ( ) 28. 有關Q 表的敘述何者有誤? (A)需要一寬頻帶振盪器 (B)基本原理利 用電橋平衡 (C)可用來測量線圈Q 值 (D)需要一串聯諧振電路。 ( ) 29. Q 表可測量 (A)線圈電感 (B)分佈電容值 (C)Q 值 (D)以上皆可測 量。 ( ) 30. 以Q 表測CD,當f1=1MHz 時,諧振電容為400pF,f2=2MHz 時,諧振 電容為85pF,試求分佈電容CD 值 (A)30pF (B)20pF (C)15pF (D)10pF。 ( ) 31. 利用歐姆表測試變壓器同側端,若指針指示在無限大處,則表示變壓 器(A)斷路 (B)短路 (C)無法判斷 (D)不一定。 被動元件測量 1.(B) 2.(D) 3.(A) 4.(B) 5.(B) 6.(B) 7.(B).8.(A) 9.(C) 10.(C) 11.(A) 12.(D) 13.(B) 14.(D).15.(B) 16.(B) 17.(B) 18.(D) 19.(C) 20.(B) 21.(A).22.(B) 23.(D) 24.(B) 25.(D) 26.(B) 27.(D) 28.(B).29.(D) 30.(B) 31.(A) 第六章 半導體測量 ( ) 1. 使用日規三用表歐姆檔測量二極體,指針有偏轉時,黑棒接觸的接腳 為(A)P (B)N (C)不能確定 (D)視廠牌而定。 ( ) 2. 若使用三用電表測量二極體極性,發現不論如何交換接腳測量都無法 偏轉,不可能是下列那種狀況 (A)二極體損壞 (B)測量的不是二極體 (C)三用表接觸不良 (D)手指誤觸測試棒。 ( ) 3. 使用三用表歐姆檔測量半導體時,最好不要使用那一個檔位 (A)R¡10Ω (B)R¡100Ω (C)R¡10k (D)都無所謂。 Created with novaPDF Printer (www.novaPDF.com) ( ) 4. (A)矽質 (B)鍺質 (C)二氧化矽 (D)鉮化鎵。 ( ) 5. 使用三用電表測量二極體,偏轉時LV 刻度讀數為0.6V,LI 為10mA, 試求二極體直流等效電阻值 (A)60 (B)50 (C)40 (D)15 Ω。 ( ) 6. 二極體漏電流測試時,二極體的偏壓應設定為(A)順向 (B)逆向 (C) 交流偏壓 (D)以上皆可。 ( ) 7. 二極體特性曲線測量時,二極體的偏壓應設定為(A)順向 (B)逆向 (C) 交流偏壓 (D)以上皆可。 ( ) 8. 描繪半導體元件特性曲線,可使用示波器的何種功能(A)自動量測 (B)X-Y 模式 (C)自動掃描(AUTO) (D)單擊掃描。 ( ) 9. 二極體的恢復時間愈短,表示二極體工作的頻寬(A)愈寬 (B)愈窄 (C) 無關 (D)視材料而定。 ( ) 10. 電晶體量測時,黑棒接其中一隻接腳時,紅棒與另兩隻接腳接觸均有 偏轉,則此電晶體為 (A)NPN (B)PNP (C)為MOSFET (D)為閘流體。 ( ) 11. 電晶體量測時,黑棒接其中一隻接腳時,紅棒與另兩隻接腳接觸均有 偏轉,則黑棒接觸的腳為 (A)E (B)B (C)C (D)以上皆非。 ( ) 12. 電晶體電路中,漏電流較大的電路組態是(A)CB (B)CE (C)CD (D)CS。 ( ) 13. 電晶體崩潰電壓VCBO 表示下列何種條件下,CB 間的崩潰電壓(A)IC =0 (B)IB=0 (C)IE=0 (D)皆不為零值。 ( ) 14. 電晶體的hfe 值,以下列何種測量方式最簡單 (A)測量IB 與IC (B) 測量電路電壓增益 (C)三用電表LV 及LI 值測量 (D)數位電表hfe 檔 位。 ( ) 15. 電晶體特性曲線可以使用曲線描繪儀及示波器來顯示,若要顯示多條 曲線,則加在電晶體B 極的電壓應為(A)正弦波 (B)三角波 (C)方波 (D) 階梯波。 ( ) 16. 電晶體的儲存時間定義為由輸入波形下降90%到(A)輸出波形上昇50% (B)輸出波形上昇10%(C)輸出波形下降90% (D)輸出波形下降10% 間的 時間。 ( ) 17. 由輸入波形上昇到10%最大值,到輸出波形上昇到10%的時間稱為(A) 延遲時間 (B)上昇時間 (C)下降時間 (D)儲存時間。 ( ) 18. 若某電晶體電路測得上昇時間為10nsec,延遲時間為15nsec,儲存時 間為30nsec,試求開啟時間為 (A)10 (B)25 (C)40 (D)45 nsec。 ( ) 19. 稽納二極體測量VZ 時,偏壓應加 (A)順向 (B)逆向 (C)交流 (D)半 波。 ( ) 20. 稽納二極體測量特性曲線時,發現逆向崩潰後形成的直線斜率為 50(mA/V),則其內阻(rz)應為 (A)100 (B)50 (C)20 (D)15 Ω。 ( ) 21. 測量N 通JFET,將閘極接地時,VDS 增至4V 時DS 間電流固定為12mA, 則下列何者有誤 (A)VP=�4V (B)當閘極接�2V 電壓時,VDS 只要2V 就 Created with novaPDF Printer (www.novaPDF.com) 能有夾止現象 (C)IDSS=12mA (D)VGS=�2V 時DS 間定電流值為10mA。 ( ) 22. 軌跡描繪器(Curve Tracer)可用來 (A)測量回轉率 (slew rate) (B) 測量雜散電容 (C)測試半導體元件特性曲線 (D)測試電源雜訊。 ( ) 23. 電晶體的漏電流ICO 可以使用何種儀表量測(A)IC 測試器 (B)Q 表 (C)電子電壓表 (D)電晶體測試器。 ( ) 24. 使用三用電表測量UJT 時發現有兩接腳間,具有雙向皆導通的特性, 則此兩接腳應為 (A)E、B1 (B)E、B2 (C)B1、B2 (D)無法判別。 ( ) 25. 使用三用電表測量UJT 時,UJT 的E 及B1 間應 (A)單向導通 (B)雙 向皆通 (C)電壓超過VP 才會導通 (D)無論如何不會導通。 ( ) 26. SCR 閘極電流增加時,順向崩潰電壓會(A)上昇 (B)下降 (C)先昇後 降 (D)先降後昇。 ( ) 27. 使用三用電表測量SCR 時,SCR 的A、K 間應(A)單向導通 (B)雙向皆 通 (C)使用R¡10k 檔才會導通 (D)無論如何不會導通。 半導體測量 1.(A) 2.(D) 3.(C) 4.(B) 5.(A) 6.(B) 7.(C) 8.(B) 9.(A) 10.(A) 11.(B) 12.(B) 13.(C) 14.(D) 15.(D) 16.(C) 17.(A) 18.(B) 19.(B) 20.(C) 21.(D) 22.(C) 23.(D) 24.(C) 25.(A) 26.(B) 27.(D) Created with novaPDF Printer (www.novaPDF.com)
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