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电子元器件符号及说明.pdf

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上传者: 牛子蛋2011 2011-10-10 评分 0 0 0 0 0 0 暂无简介 简介 举报

简介:本文档为《电子元器件符号及说明pdf》,可适用于IT/计算机领域,主题内容包含常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一.电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电阻器一般符号电感器、线圈、绕组或符等。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一.电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电阻器一般符号电感器、线圈、绕组或扼流图。注:符号中半圆数不得少于个可变电阻器或可调电阻器带磁芯、铁芯的电感器滑动触点电位器带磁芯连续可调的电感器极性电容双绕组变压器注:可增加绕组数目可变电容器或可调电容器绕组间有屏蔽的双绕组变压器注:可增加绕组数目双联同调可变电容器。注:可增加同调联数在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器二.半导体管图形符号名称与说明图形符号名称与说明二极管的符号发光二极管()()JFET结型场效应管()N沟道()P沟道光电二极管PNP型晶体三极管稳压二极管NPN型晶体三极管变容二极管全波桥式整流器三.其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号名称与说明具有两个电极的压电晶体注:电极数目可增加或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信号灯导线的不连接扬声器动合(常开)触点开关蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器.电阻器和电位器的型号命名方法表电阻器型号命名方法第一部分:主称第二部分:材料第三部分:特征分类意义符号意义符号意义符号电阻器电位器第四部分:序号R电阻器T碳膜普通普通W电位器H合成膜普通普通S有机实芯超高频――N无机实芯高阻――J金属膜高温――Y氧化膜――――C沉积膜精密精密I玻璃釉膜高压特殊函数P硼碳膜特殊特殊U硅碳膜G高功率――X线绕T可调――M压敏W――微调G光敏D――多圈R热敏B温度补偿用――C温度测量用――P旁热式――W稳压式――Z正温度系数――对主称、材料相同仅性能指标、尺寸大小有差别但基本不影响互换使用的产品给予同一序号若性能指标、尺寸大小明显影响互换时则在序号后面用大写字母作为区别代号。示例:()精密金属膜电阻器RJ第四部分:序号第三部分:类别(精密)第二部分:材料(金属膜)第一部分:主称(电阻器)()多圈线绕电位器WXD第四部分:序号第三部分:类别(多圈)第二部分:材料(线绕)第一部分:主称(电位器).电阻器的主要技术指标()额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率如表所示。表电阻器的功率等级名称额定功率(W)实芯电阻器-线绕电阻器薄膜电阻器()标称阻值阻值是电阻的主要参数之一不同类型的电阻阻值范围不同不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准常用的标称电阻值系列如表所示。E、E和E系列也适用于电位器和电容器。表标称值系列标称值系列精度电阻器(:)、电位器(:)、电容器标称值(PF)EE--E-表中数值再乘以n其中n为正整数或负整数。()允许误差等级表电阻的精度等级允许误差()等级符号EXYHUWB允许误差()等级符号CDFGJ(I)K(II)M(III).电阻器的标志内容及方法()文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值其文字符号所表示的单位如表所示。如R表示ΩK表示kΩ表5文字符号RKMGT表示单位欧姆(Ω)千欧姆(Ω)兆欧姆(Ω)千兆欧姆(Ω)兆兆欧姆(Ω)例如:RJ--k-II允许误差标称阻值(kΩ)额定功率W型号由标号可知它是精密金属膜电阻器额定功率为W标称阻值为kΩ允许误差为。()色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图和图所示。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后的个数允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑棕红橙黄绿蓝紫灰白―~金银无色图两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为)。例如色环为棕黑红表示=kΩ的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如色环为棕绿橙金表示=kΩ的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如色环为红紫绿黄棕表示=MΩ的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的(~)倍。有些色环电阻器由于厂家生产不规范无法用上面的特征判断这时只能借助万用表判断。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后的个数允许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银图三位有效数字阻值的色环表示法.电位器的主要技术指标()额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。()标称阻值标在产品上的名义阻值其系列与电阻的系列类似。()允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许、、、、的误差。精密电位器的精度可达。()阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度(或滑动行程)之间的变化关系这种变化关系可以是任何函数形式常用的有直线式、对数式和反转对数式(指数式)。在使用中直线式电位器适合于作分压器反转对数式(指数式)电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品可用直线式代替但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。.电位器的一般标志方法WT-k允许误差标称阻值kΩ额定功率W碳膜电位器WX-ΩJ允许误差标称阻值Ω额定功率W线绕电位器二.电容器.电容器型号命名法表电容器型号命名法第一部分:主称第二部分:材料第三部分:特征、分类意义符号意义符号意义符号瓷介云母玻璃电解其他第四部分:序号C瓷介圆片非密封-箔式非密封Y云母管形非密封-箔式非密封I玻璃釉迭片密封-烧结粉固体密封O玻璃膜独石密封-烧结粉固体密封Z纸介穿心---穿心J金属化纸支柱----B聚苯乙烯---无极性-L涤纶高压高压--高压Q漆膜---特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛电容器E其他对主称、材料相同仅尺寸、性能指标略有不同但基本不影响互使用的产品给予同一序号若尺寸性能指标的差别明显影响互换使用时则在序号后面用大写字母作为区别代号。示例:()铝电解电容器CD第四部分:序号第三部分:特征分类(箔式)第二部分:材料(铝)第一部分:主称(电容器)()圆片形瓷介电容器CC-第四部分:序号第三部分:特征分类(圆片)第二部分:材料(瓷介质)第一部分:主称(电容器)()纸介金属膜电容器CZJX第四部分:序号第三部分:特征分类(金属膜)第二部分:材料(纸介)第一部分:主称(电容器).电容器的主要技术指标()电容器的耐压:常用固定式电容的直流工作电压系列为:VVVVVVVVVV。()电容器容许误差等级:常见的有七个等级如表所示。表容许误差级别IIIIIIIVVVI()标称电容量:表固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号EEE容许误差(I)或(J)(II)或(K)(III)或(m)标称容量对应值,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,注:标称电容量为表中数值或表中数值再乘以n其中n为正整数或负整数单位为pF。.电容器的标志方法()直标法容量单位:F(法拉)、μF(微法)、nF(纳法)、pF(皮法或微微法)。法拉=微法=微微法微法=纳法=微微法纳法=微微法例如:n表示nF或pF表示μF表示pF。有时用大于的两位以上的数字表示单位为pF的电容例如表示pF用小于的数字表示单位为μF的电容例如表示μF。()数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小单位为pF。前两位为有效数字后一位表示位率。即乘以ii为第三位数字若第三位数字则乘。如J代表pF=pF=μF允许误差为又如K代表pF允许误差为的电容。这种表示方法最为常见。()色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色前两环为有效数字第三环为位率单位为pF。有时色环较宽如红红橙两个红色环涂成一个宽的表示pF。三.电感器.电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等都属电感器种类。.电感器的主要技术指标()电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数用L表示简称为电感。即:ILϕ=式中:ϕ=磁通量I=电流强度()固有电容:线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。()品质因数:电感线圈的品质因数定义为:RLQω=式中:ω-工作角频率L-线圈电感量R-线圈的总损耗电阻()额定电流:线圈中允许通过的最大电流。()线圈的损耗电阻:线圈的直流损耗电阻。.电感器电感量的标志方法()直标法。单位H(亨利)、mH(毫亨)、μH(微亨)、()数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。()色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似色码一般有四种颜色前两种颜色为有效数字第三种颜色为倍率单位为μH第四种颜色是误差位。四.半导体分立器件.半导体分立器件的命名方法()我国半导体分立器件的命名法表国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型符号意义符号意义符号意义符号意义二极管三极管ABCDABCDEN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管(αf<MHz,PC<W)高频小功率管(αfMHzPC<W)DATYBJCSBTFHPINJG低频大功率管(αf<MHz,PCW)高频大功率管(αfMHzPCW)半导体闸流管(可控硅整流器)体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件用数字表示器件序号用汉语拼音表示规格的区别代号例:)锗材料PNP型低频大功率三极管:)硅材料NPN型高频小功率三极管:ADCDGB规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管)N型硅材料稳压二极管:)单结晶体管:CWBTE序号规格号稳压管耗散功率N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体()国际电子联合会半导体器件命名法表国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A检波、开关和混频二极管M封闭磁路中的霍尔元件A锗材料B变容二极管P光敏元件C低频小功率三极管Q发光器件B硅材料D低频大功率三极管R小功率可控硅E隧道二极管S小功率开关管三位数字通用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一登记号)C砷化镓F高频小功率三极管T大功率可控硅G复合器件及其它器件U大功率开关管D锑化铟H磁敏二极管X倍增二极管K开放磁路中的霍尔元件Y整流二极管R复合材料L高频大功率三极管Z稳压二极管即齐纳二极管一个字母加两位数字专用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一登记号)ABCDEL同一型号器件按某一参数进行分档的标志示例(命名):AFSAF型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点:)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此凡型号以两个字母开头并且第一个字母是ABCD或R的晶体管大都是欧洲制造的产品或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。)第一个字母表示材料(A表示锗管B表示硅管)但不表示极性(NPN型或PNP型)。)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管D表示低频大功率管F表示高频小功率管L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义不查手册也可以判断出类别。例如BL型一见便知是硅大功率专用三极管。)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品一个字母加两位数字者为专用品顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如AC为PNP型而AC则为NPN型。)第四部分字母表示同一型号的某一参数(如hFE或NF)进行分档。)型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN或PNP)。极性的确定需查阅手册或测量。()美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表所示。表美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类型用数字表示PN结的数目美国电子工业协会(EIA)注册标志美国电子工业协会(EIA)登记顺序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义二极管JAN或J军用品三极管三个PN结器件无非军用品nn个PN结器件N该器件已在美国电子工业协会注册登记多位数字该器件在美国电子工业协会登记的顺序号ABCDL同一型号的不同档别例:)JANN)NJANNNEIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点:)型号命名法规定较早又未作过改进型号内容很不完备。例如对于材料、极性、主要特性和类型在型号中不能反映出来。例如N开头的既可能是一般晶体管也可能是场效应管。因此仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。)组成型号的第一部分是前缀第五部分是后缀中间的三部分为型号的基本部分。)除去前缀以外凡型号以N、N或NLL开头的晶体管分立器件大都是美国制造的或按美国专利在其它国家制造的产品。)第四部分数字只表示登记序号而不含其它意义。因此序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如N为硅NPN高频大功率管而N为N沟道场效应管。)不同厂家生产的性能基本一致的器件都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此型号相同的器件可以通用。)登记序号数大的通常是近期产品。()日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件(包括晶体管)或其它国家按日本专利生产的这类器件都是按日本工业标准(JIS)规定的命名法(JIS-C-)命名的。日本半导体分立器件的型号由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性其常用的符号有:M-松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。N-松下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。Z-松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H-日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K-日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T-日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。G-东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S-三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七部分的符号常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如三菱公司常用RGY等字母日立公司常用ABCD等字母作为直流放大系数hFE的分档标志。表日本半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数S表示日本电子工业协会(EIAJ)的注册产品用字母表示器件的极性及类型用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号用字母表示对原来型号的改进产品符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义APNP型高频管BPNP型低频管CNPN型高频管光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合管DNPN型低频管二极管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结晶体管JP沟道场效应管三极管、具有两个以上PN结的其他晶体管KN沟道场效应管M双向可控硅LL具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管n具有n个有效电极或具有n个PN结的晶体管S表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件四位以上的数字从开始表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号不同公司性能相同的器件可以使用同一顺序号其数字越大越是近期产品ABCDEFLL用字母表示对原来型号的改进产品示例:)SCA(日本收音机中常用的中频放大管)SCASC型的改进产品日本电子工业协会登记顺序号NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管(两个PN结))SA(日本夏普公司GF-收录机用小功率管)SA日本电子工业协会登记顺序号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管(两个PN结)日本半导体器件型号命名法有如下特点:)型号中的第一部分是数字表示器件的类型和有效电极数。例如用“”表示二极管用“”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。)第二部分均为字母S表示日本电子工业协会注册产品而不表示材料和极性。)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管用J表示P沟道场效应三极管。但是第三部分既不表示材料也不表示功率的大小。)第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号并不反映器件的性能顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如SC型的最大额定耗散功率为mW而SC的最大额定耗散功率为W。但是登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大越是近期产品。)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号常采用简化标记的方法即把S省略。例如SD简化为DSCA简化为CA。)在低频管(SB和SD型)中也有工作频率很高的管子。例如SD的特征频率fT为MHz所以它们也可当高频管用。)日本通常把PcmW的管子称做大功率管。.常用半导体二极管的主要参数表部分半导体二极管的参数类型参数型号最大整流电流mA正向电流mA正向压降(在左栏电流值下)V反向击穿电压V最高反向工作电压V反向电流μA零偏压电容pF反向恢复时间nsAPAPfH(MHz)AP普通检波二极管APfH(MHz)AKAKAKAKAK锗开关二极管AKCKA~ECKA~ECKA~ECKA~ECKA~DCKA~D硅开关二极管CKA~DABCDEABCDE类型参数型号最大整流电流mA正向电流mA正向压降(在左栏电流值下)V反向击穿电压V最高反向工作电压V反向电流μA零偏压电容pF反向恢复时间nsCZBLHL同AP普通二极管CZBLMLCZBLMLCZBLMLCZBLBLNLLNLL整流二极管NLL常用整流桥的主要参数表几种单相桥式整流器的参数参数型号不重复正向浪涌电流A整流电流A正向电压降V反向漏电μA反向工作电压V最高工作结温oCQLQLQLQLQLQLQL常见的分档为:常用稳压二极管的主要参数表部分稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<oC稳定电流下稳定电流下环境温度<oC测试条件参型数号稳定电压V稳定电流mA最大稳定电流mA反向漏电流动态电阻Ω电压温度系数oC最大耗散功率WCW~CW~CW~~CW~~CW~CW~CW~CW~CW~~CW~CW~CWACWCCWC~常用半导体三极管的主要参数()AX(AX)型PNP型锗低频小功率三极管表AX(AX)型半导体三极管的参数原型号AX新型号AXAAXBAXCAXD测试条件PCM(mW)Ta=oCICM(mA)TjM(oC)BVCBO(V)IC=mA极限参数BVCEO(V)IC=mAICBO(μA)VCB=VICEO(μA)VCE=VIEBO(μA)VEB=V直流参数hFE~~~~VCE=VIC=mAfα(kHz)VCB=VIE=mANF(dB)---VCB=VIE=mAf=kHzhie(kΩ)~~~~hre()hoe(μs)交流参数hfe----VCB=VIE=mAf=kHzhFE色标分档(红)~(绿)~(蓝)~管脚BEC()AX型PNP型锗低频小功率三极管表AX型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号AXAAXB测试条件PCM(mW)ICM(mA)TjM(oC)BVCBO(V)IC=mABVCEO(V)IC=mA极限参数BVEBO(V)IE=mAICBO(μA)VCB=VICEO(μA)VCE=VIEBO(μA)VEB=VVBES(V)VCE=VIC=mAVCES(V)VCE=VBEVCB=IC=mA直流参数hFE~~VCE=VIC=mA交流参数fβ(kHz)VCB=VIE=mAhFE色标分档(黄)~(绿)~(蓝)~(紫)~(灰)~(白)~管脚BEC()BX型NPN型锗低频小功率三极管表BX型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号BXMBXABXBBXC测试条件PCM(mW)Ta=oCICM(mA)TjM(oC)BVCBO(V)IC=mABVCEO(V)IC=mA极限参数BVEBO(V)IE=mAICBO(μA)VCB=VICEO(μA)VCE=VIEBO(μA)VEB=VVBES(V)VCE=VIC=mAVCES(V)VCE=VBEVCB=IC=mA直流参数hFE~~~~VCE=VIC=mA交流参数fβ(kHz)--fαVCB=VIE=mAhFE色标分档(黄)~(绿)~(蓝)~(紫)~(灰)~(白)~管脚BEC()DG(DG)型NPN型硅高频小功率三极管表DG(DG)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号DG新型号DGADGBDGCDGD测试条件PCM(mW)ICM(mA)BVCBO(V)IC=µABVCEO(V)IC=µA极限参数BVEBO(V)IE=μAICBO(μA)VCB=VICEO(μA)VCE=VIEBO(μA)VEB=VVBES(V)IC=mAIB=mAVCES(V)IC=mAIB=mA直流参数hFEVCE=VIC=mAfT(MHz)VCB=V

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