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硅多晶国家标准 ICS 29-045 H 82 缚臀 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 12963一1996 硅 多 曰 日日 Polycrystalline silicon 1996-11一04发布 1997一04一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 GB/T 12963一1996 前 言 本标准中的直拉法用硅多晶是等效采用半导体设备和材料国际组织((SEMI)标准SEMI M16-89 《硅...

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ICS 29-045 H 82 缚臀 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 12963一1996 硅 多 曰 日日 Polycrystalline silicon 1996-11一04发布 1997一04一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 GB/T 12963一1996 前 言 本 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 中的直拉法用硅多晶是等效采用半导体设备和材料国际组织((SEMI)标准SEMI M16-89 《硅多晶规范》,结合我国的硅多晶材料的生产和使用情况,对GB 12963-91进行修订而成的;悬浮区 熔法用硅多晶是在原标准GB 12963-91的基础上,结合我国的实际情况对其进行修订而成的。 本标准的内容包括直拉法和悬浮区熔法用硅多晶。对于制备更高电阻率的区熔硅单晶,应对硅多晶 进行真空区域提纯或使用纯度更高的硅多晶。 本标准与原标准GB 12963-91比较,重要技术内容改变的有:删去硅多晶特级品及其温度夹层要 求,删去硅烷热分解制取硅多晶的内容,增加了块状硅多晶尺寸分布范围,硅多晶的各级“等级品”的技 术指标都有不同程度的提高。 本标准从 1997年4月1日起实施。 本标准从生效之日起。代替GB 12963-91, 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。 本标准起草单位:峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所。 本标准主要起草人:王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立. 本标准首次发布日期:1991年6月。 中华 人 民 共 和 国国 家 标准 硅 多 晶 GB/T 12963一1996 Polycrystalline silicon 代替 GB 12963-91 范围 本标准规定了硅多晶的产品分类、技术 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于以三抓氢硅或四抓化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单 晶。 2 引用标准 下列标准所包含的条文.通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均 为有效,所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T 155。 硅单晶导电类型测定方法 GB/T 1553硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法 GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB 1558-83 测定硅晶体中代位碳含蚤红外吸收方法 GB 4059-83 硅多晶气氛区熔磷检验方法 GB 4060-83 硅多晶真空区熔基翩检验方法 GB 4061- 83 硅名晶断面央层让学 腐蚀检编方法 3 产品分类 3.1 分类 产品按外形分为块状硅多晶和棒状硅多晶,根据纯度的差别分为3级。 3.2 牌号 硅多晶的牌号表示为: Psi一口一口 阿拉伯数字表示硅多晶等级 英文大写字母表示硅多晶形状.I表示棒状.N表示块状 表示硅 多晶 技术要求 纯度 硅多晶的纯度应符合表1的规定。 国家技术监.局1996一11一04批准 1997一04一01实施 1 GB/T 12963一1996 表 1 硅多晶纯度 项 目 硅 多 晶 等 级 1级 品 2级 品 3级 品 n型电阻率 n·cm 妻300 )200 ) 100 P型电阻率,n·cm >3 000 >2 000 > 1 000 碳浓度、ac/cm' > L S X 101, >2X10" >2X 10" n型少数载流子寿命'p-,l >500 >300 李 100 4.2 硅多晶尺寸范围 4.2.1块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布,其线性尺寸最小为6 mm,最大为100 mm, 4.2.2 块状硅多晶的尺寸分布范围为: (1)6^-25 mm的最多占重量的15环; (2)>25--50 mm的占重量的15%一35%; (3)>50-100 mm的最少占重量的65%0 4.2.3 棒状硅多晶的直径及长度尺寸由供需双方商定。其直径允许偏差为5%. 4.3 结构 硅多晶应无氧化夹层。 4.4 表面质量 4.4.1 硅多晶表面结构应致密、平整(断面边缘颗粒不大于3 mm), 4.4.2 块状硅多晶的表面应经过酸腐蚀去除表面沾污,使其达到直接使用要求。所有硅多晶的外观应 无色斑、变色,无可见的污染物。 试验方法 硅多晶导电类型检验按GB/T 1550进行。 硅多晶n型电阻:3x检验按GB 4059进行。 硅多晶P型电阻率检验按GB 406。进行。 硅多晶n型少数载流子寿命测量按GB/T 1553进行。 硅多晶碳浓度测量按GB 1558进行。 硅多晶氧化夹层检验按GB 4061进行。 棒状硅多晶的直径用游标卡尺测量,块状硅多晶的尺寸分布范围用过筛检验,或由供需双方商定 ? ?? ??? ??? ?? ?? 5.6 的方法检验。 58 硅多晶的表面质量用肉眼检查。 检验规则 6.1 检查和验收 6.1.1 产品应由供方技术监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准规定,井填写产品质量证明 关于书的成语关于读书的排比句社区图书漂流公约怎么写关于读书的小报汉书pdf 。 6.1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时,应在收到产品之日起3个月 (块状硅多晶为一个月)内向供方提出,由供需双方协商解决。 62 组 批 产品应成批提交验收,每批应由同一牌号、具有相同标称纯度和特性,以类似 工艺 钢结构制作工艺流程车尿素生产工艺流程自动玻璃钢生产工艺2工艺纪律检查制度q345焊接工艺规程 条件生产并可追 溯生产条件的硅多晶或同一反应炉次的硅多晶组成。 6.3 检验项目 每批产品应进行n型电阻率、P型电阻率、n型少数载流子寿命、碳浓度、结构、表面质盘和尺寸的 GB/T 12963一 1996 检验。 6.4 取样与制样 6.4.1供方取样、制样时,。型电阻率.P型电阻率取样,制样按GB 4059,GB 406。进行,断面氧化夹层 取样、制样按GB 4061进行。 6.4.2仲裁抽样 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 由供需双方商定,取样部位和制样按6.4.1进行。 6.5 检验结果判定 6.5.1硅多晶的纯度由n型电阻率、P型电阻率和碳浓度判定。 6.5.2若检验结果有一项不合格,则加倍取样对该不合格的项目进行复验。若仍不合格,则该批产品为 不合格。 标志、包装、运输和贮存 7"1 硅多晶经过一定方式洗净、干燥后,装入洁净的聚乙烯包装袋内,密封,然后再将包装袋装人包装 箱内。块状硅多晶每袋净重为2 000 g士20 g或5 000 g士50 g或10 000士100 g,棒状硅多晶每根单独 包装。包装时应防止聚乙烯包装袋破损,以避免产品外来沾污,并按最佳方法提供良好保护。 7.2 包装箱外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志,并标明: a)需方名称; b) 产品名称、牌号; c)产品件数、净重; d)供方名称。 7.3 每批产品应附有质量证明书,注明: 。) 供方名称; b) 产品名称及牌号; c) 产品批号, d)产品毛重、净重; e) 各项检验结果及检验部门〔p记; f)本标准编号; 9)出厂日期。 7.4 产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震措施。 了5 产品应贮存在清净、干燥环境中。
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分类:生产制造
上传时间:2011-09-25
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