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大学薄膜物理 蒸发源的特性及膜厚分布(完整).pptx

大学薄膜物理 蒸发源的特性及膜厚分布(完整)

中小学精品课件
2019-02-28 0人阅读 举报 0 0 0 暂无简介

简介:本文档为《大学薄膜物理 蒸发源的特性及膜厚分布(完整)pptx》,可适用于财会税务领域

第二节蒸发源的蒸发特性及膜厚分布姓名:邬红班级:级材料班本节知识点概括:掌握点蒸发源、小平面蒸发源、细长平面蒸发源的原理和膜厚。了解环状蒸发源和球面基板上的膜厚分布。了解实际蒸发源的发射特性。了解蒸发源与基板的相对位置配置。在真空蒸发镀膜过程中能否在基板上获得均匀膜厚是制膜的关键问题。基板上不同蒸发位置的膜厚取决于蒸发源的蒸发(或发射)特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。镀膜过程中对于膜厚的分布如何也是人们十分关心的问题。()蒸发原子或分子与残余气体分子间不发生碰撞()在蒸发源附近的蒸发原子或分子之间也不发生碰撞()蒸发淀积到基板上的原子不发生再蒸发现象即第一次碰撞就凝结于基板表面上。为了对膜厚进行理论计算找出其分布规律首先对蒸发过程作如下几点假设:上述假设的实质就是设每一个蒸发原子或分子在入射到基板表面上的过程中均不发生任何碰撞而且到达基板后又全部凝结。显然这必然与实际的蒸发过程有所出入。但是这些假设对于在Pa或更低的压强下所进行的蒸发过程来说它与实际情形是非常接近的。因此可以说目前通常的蒸发装置一般都能满足上述条件。蒸发源的种类繁多下面分别介绍几种最常用的蒸发源。一、点蒸发源通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(简称点源)。一个很小的球dS以每秒m克的相同蒸发速率向各个方向蒸发则在单位时间内在任何方向上.通过如图所示立体角dω的蒸发材料总量为dm则有:因此在蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小面积dS的几何尺寸已知时则淀积在此面积上的膜材厚度与数量即可求得。由图可知则有式中r是点源与基板上被观测点的距离。所以蒸发材料到达dS上的蒸发速率dm可写成假设蒸发膜的密度为ρ单位时间内淀积在dS上的膜厚为t则淀积到dS上的薄膜体积为tdS则将此值代入式()则可得基板上任意一点的膜厚经整理后得当dS在点源的正上方即θ=时cosθ=用t表示原点处的膜厚即有显然t是在基板平面内所能得到的最大膜厚。则在基板架平面内膜厚分布状况可用下式表示二、小平面蒸发源用小型平面蒸发源代源。由于这种蒸发源的发射特性具有方向性使在θ角方向蒸发的材料质量和cosθ成正比例即遵从所谓余弦角度分布规律。θ是平面蒸发源法线与接收平面dS中心和平面源中心连线之间的夹角。则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成θ角度方向的立体角dω的蒸发量dm为式中/π是因为小平面源的蒸发范围局限在半球形空间。如果蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小平面dS几何面积已知则淀积在该小平面薄膜的蒸发速率即可求得同理将代入上式后则可得到小型蒸发源时基板上任意一点的膜厚t为当dS在小平面源正上方时(θ=β=)用t表示该点的膜厚为同理t是基板平面内所得到的最大蒸发膜厚。基板平面内其他各处的膜厚分布即t与t之比为图比较了点蒸发源与小平面蒸发源两者的相对厚度分布曲线。另外比较式(-)和(-)可以看出。两种源在基片上所淀积的膜层厚度虽然很近似但是由于蒸发源不同在给定蒸发料、蒸发源和基板距离的情况下平面蒸发源的最大厚度可为点蒸发源的四倍左右。这一点也可从式()与()的比较中得出。图和为两个蒸发用料重量简便计算图可用以估计某一用途所需蒸发量的重量。要注意这个图适用于点蒸发源并假定淀积簿膜密度为块状材料的密度。三、细长平面蒸发源细长平面蒸发源的发射特性如图所示。下面讨论这种蒸发源的膜厚分布问题。设基板平行放置于长度为l的细长蒸发源源一基距为h与中心点距离S的微险小面积为dS在x一y平面上任意一点(xy)的微小面积为dσ在dS与dσ之间的距离为r时由几何关系可得当蒸发物质m均匀分布在蒸发源内时在蒸发源dS面上的质量dm为这样.就可视dS为小平面蒸发源。所以可参照式()求出在dσ上得到的蒸发质量为如果蒸发物质的密度为ρ在某一时间内淀积到dσ的膜厚为dt则dm=ρdtdσ。由此可得出()积分后得出()整理后得()在原点O处由于x=n=h则膜厚为()四、环状蒸发源为了在宽广面积上得到较好的膜厚均匀性可以采用环状蒸发源(简称环源)。如在环上取一单元面积dS则单位时间蒸发到接收面dS上的膜材质量为环状平面蒸发源的膜厚分布如图所示。选择适当的R与h比时在蒸发平面上相当大范围内膜厚分布是均匀的。如在R/h=一时膜厚分布就比小平面蒸发源(曲线S)要均匀得多。对于一定的R可计算出源基距为h平面上的膜厚分布。五、球曲面基板上的膜厚分布当蒸镀面积较大时为获得镀层的膜厚有较好的均匀性除了选择合适的蒸发源以及采用旋转基板架外还可使基板处于球面分布状态。图示出了这种情况下的发射特性。这是实际生产中的一种重要选择。因为不论采用静止的或旋转的球曲面其上的膜厚分布都比面积相同的平板情况有较好的均匀性对于不同的n值即不同的蒸发器形状膜厚分布结果不同:n=cos蒸发器:()n=cos蒸发器:()n=cos蒸发器:()实际蒸发源的发射特性点蒸发源舟式蒸发源锥形蓝式蒸发源磁控靶源近似发针形蒸发源或电子束蒸发源近似小平面蒸发源平面蒸发源大面积蒸发源七、蒸发源与基板的相对位置配置.点源与基板相对位置的配置如图所示为了获得均匀的膜厚点源必须配置在基板所围成的球体中心。式()中的cosθ=时t值为常数即在这种情况下膜厚仅与蒸发材料的性质、半径r值的大小以及蒸发源所蒸发出来的质量m有关。这种球面布置在理论上保证了膜厚的均匀性。.小平面源与基板相对位置的配置当小平面蒸发源为球形工件架的一部分时该小平面蒸发源蒸发时在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。这一点可从式()看出。因为当该式θ=β时从图中可知r=Rcosθ将其代入式()则得由此可见在这种情况下膜厚t的分布与θ角无关。所以对应于一定半径r的球形工件架来说其内表面的膜厚只取决于蒸发材料的性质、r值的大小及蒸发源所能发出来的质量多少。小面积基板时蒸发源的位量配置如果被蒸镀的面积比较小这时可将蒸发源直接配置于基板的中心线上基板距蒸发源高度H可取为H=(~)D如图l所示。D为基板直径尺寸。.大面积基板和蒸发源的配置为了在较大平板形基板上获得均匀的膜厚除可采用使基板公转加自转的“行星”方式外采用多个分离的点源来代替单一点源或小平面蒸发源是一利最简便的方法。这时蒸发膜厚的分布表达式如下式中:ex≤|±/|范围内的膜厚最大相对偏差x是基板尺寸tmaxx≤|±/|范围内的最大膜厚tminx≤|±/|范围内的最小膜厚tx=(原点)处的膜厚。

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