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常用逆变电源电路图.pdf

常用逆变电源电路图

夜落千城
2011-09-02 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《常用逆变电源电路图pdf》,可适用于IT/计算机领域

常用逆变电源电路图收藏此信息打印该信息添加:用户发布来源:未知双端工作的方波逆变变压器的铁心面积乘积公式为AeAc=Po(+η)(ηDKjfKeKcBm)()式中:Ae(m)为铁心横截面积Ac(m)为铁心的窗口面积Po为变压器的输出功率η为转换效率δ为占空比K是波形系数j(Am)为导线的平均电流密度f为逆变频率Ke为铁心截面的有效系数Kc为铁心的窗口利用系数Bm为最大磁通量。图变压器原边的开关管S和S各采用IRF只并联之所以并联主要是因为在逆变电源接入负载时变压器原边的电流相对较大并联可以分流可有效地减少开关管的功耗不至于造成损坏。PWM控制电路芯片SG是一种电压型开关电源集成控制器,具有输出限流,开关频率可调,误差放大,脉宽调制比较器和关断电路,其产生PWM方波所需的外围线路很简单。当脚与脚并联使用时,输出脉冲的占空比为~%,脉冲频率等于振荡器频率的。当脚(关断端)加高电平时,可实现对输出脉冲的封锁,与外电路适当连接,则可以实现欠压、过流保护功能。利用SG内部自带的运算放大器调节其输出的驱动波形的占空比D使D>%然后经过CD反向后得到对管的驱动波形的D<%这样可以保证两组开关管驱动时有共同的死区时间。DCACDCACDCACDCAC变换如图所示DCAC变换采用单相输出全桥逆变形式为减小逆变电源的体积降低成本输出使用工频LC滤波。由个IRF构成桥式逆变电路IRF最高耐压V电流A功耗W利用半桥驱动器IR提供驱动信号其输入波形由SG提供同理可调节该SG的输出驱动波形的D<%保证逆变的驱动方波有共同的死区时间。图IR是IR公司生产的大功率MOSFET和IGBT专用驱动集成电路可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动同时还具有快速完整的保护功能因而它可以提高控制系统的可靠性减少电路的复杂程度。IR的内部结构和工作原理框图如图所示。图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为保护信号输入端当该脚接高电平时IR的输出信号全被封锁其对应的输出端恒为低电平而当该脚接低电平时IR的输出信号跟随HIN和LIN而变化在实际电路里该端接用户的保护电路的输出。HO和LO是两路驱动信号输出端驱动同一桥臂的MOSFET。IR的自举电容选择不好容易造成芯片损坏或不能正常工作。VB和VS之间的电容为自举电容。自举电容电压达到V以上才能够正常工作要么采用小容量电容以提高充电电压要么直接在VB和VS之间提供~V的隔离电源本电路采用了μF的自举电容。为了减少输出谐波逆变器DCAC部分一般都采用双极性调制即逆变桥的对管是高频互补通和关断的。保护电路设计及调试过程中的一些问题保护电路分为欠压保护和过流保护。欠压保护电路如图所示它监测蓄电池的电压状况如果蓄电池电压低于预设的V保护电路开始工作使控制器SG的脚关断端输出高电平停止驱动信号输出。图中运算放大器的正向输入端的电压由R和R分压得到而反向输入端的电压由稳压管箝位在+V当蓄电池的电压下降超过预定值后运算放大器开始工作输出跳转为负LED灯亮同时三级管V截止向SG的SD端输出高电平封锁IR的输出驱动信号。过流保护电路如图所示它监测输出电流状况预设为A。方波逆变器的输出电流经过采样进入运算放大器的反向输入端当输出电流大于A后运算放大器的输出端跳转为负经过CD组成的RS触发器后使三级管V基级的信号为低电平三级管截止向IR的SD端输出高电平达到保护的目的。调试过程遇到的一个较为重要的问题是关于IR的自举电容的选择。IR的上管驱动是采用外部自举电容上电这就使得驱动电源的路数大大减少但同时也对VB和VC之间的自举电容的选择也有一定的要求。经过试验后最终采用μF的电解电容可以有效地满足自举电压的要求。

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