設計流程簡介
1 目的
希望以简短的篇幅,将公司目前设计的
流程
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做介绍,若有介绍不当之处,请不吝指教.
2 设计步骤:
2.1 绘线路图、PCB Layout.
2.2 变压器计算.
2.3 零件选用.
2.4 设计验证.
3 设计流程介绍(以 DA-14B33为例):
3.1 线路图、PCB Layout请参考资识库中说明.
3.2 变压器计算:
变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的,以下即就 DA-14B33变压器做介绍.
3.2.1 决定变压器的材质及尺寸:
依据变压器计算公式
Gaussx
NpxAe
LpxIpB 100(max) =
¾ B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)
¾ Lp = 一次侧电感值(uH)
¾ Ip = 一次侧峰值电流(A)
¾ Np = 一次侧(主线圈)圈数
¾ Ae = 铁心截面积(cm2)
¾ B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定,以 TDK Ferrite Core PC40为例,100℃时的 B(max)为
3900 Gauss,设计时应考虑零件误差,所以一般取 3000~3500 Gauss之间,若所设计的 power为
Adapter(有外壳)则应取 3000 Gauss左右,以避免铁心因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,
Ae越高,所以可以做较大瓦数的 Power。
3.2.2 决定一次侧滤波电容:
滤波电容的决定,可以决定电容器上的 Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的
Power,但相对价格亦较高。
3.2.3 决定变压器线径及线数:
当变压器决定后,变压器的Bobbin即可决定,依据Bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可
计算出线径的电流密度,电流密度一般以 6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做
参考值,最终应以温升记录为准。
3.2.4 决定 Duty cycle (工作周期):
由以下公式可决定 Duty cycle ,Duty cycle的设计一般以 50%为基准,Duty cycle若超过 50%易导致振
荡的发生。
xDVin
DxVVo
Np
Ns D
(min)
)1()( −+=
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¾ NS = 二次侧圈数
¾ NP = 一次侧圈数
¾ Vo = 输出电压
¾ VD= 二极管顺向电压
¾ Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压
¾ D = 工作周期(Duty cycle)
3.2.5 决定 Ip值:
IIavIp Δ+=
2
1
ηxDxVin
PoutIav
(min)
=
f
Px
Lp
VinI (min)=Δ
¾ Ip = 一次侧峰值电流
¾ Iav = 一次侧平均电流
¾ Pout = 输出瓦数
¾ =η 效率
¾ =f PWM震荡频率
3.2.6 决定辅助电源的圈数:
依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压。
3.2.7 决定MOSFET及二次侧二极管的 Stress(应力):
依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格,计算时以
输入电压 264V(电容器上为 380V)为基准。
3.2.8 其它:
若输出电压为 5V以下,且必须使用 TL431而非 TL432时,须考虑多一组绕组提供 Photo coupler及
TL431使用。
3.2.9 将所得
资料
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代入 Gaussx
NpxAe
LpxIpB 100(max) = 公式中,如此可得出 B(max),若 B(max)值太高或太
低则参数必须重新调整。
3.2.10 DA-14B33变压器计算:
输出瓦数 13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每边),剩余
可绕面积=4.4mm.
假设fT = 45 KHz ,Vin(min)=90V,η =0.7,P.F.=0.5(cosθ),Lp=1600 Uh
计算式:
z 变压器材质及尺寸:
由以上假设可知材质为PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,
因Margin Tape使用 2.8mm,所以剩余可绕面积为 4.4mm.
假设滤波电容使用 47uF/400V,Vin(min)暂定 90V。
z 决定变压器的线径及线数:
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A
xxxxVin
PoutIin 42.0
5.07.090
2.13
cos(min)
=== θη
假设NP使用 0.32ψ的线
电流密度= A
x
x
286.1
1024.014.3
42.0
2
32.014.3
42.0
2 ==
⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛
可绕圈数= ( ) 圈線徑
剩餘可繞面績 57.12
03.032.0
4.4 =+=
假设 Secondary使用 0.35ψ的线
电流密度= A
x
x
07.44
0289.014.3
4
2
35.014.3
4
2 ==
⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛
假设使用 4P,则
电流密度= A02.11
4
07.44 =
可绕圈数= ( ) 圈57.1103.035.0
4.4 =+
z 决定 Duty cycle:
假设Np=44T,Ns=2T,VD=0.5(使用schottky Diode)
( )( )
DVin
DVVo
Np
Ns D
(min)
1−+=
( )( ) %2.48
90
15.03.3
44
2 =⇒−+= D
D
D
z 决定 Ip值:
IIavIp Δ+=
2
1
A
xxxDxVin
PoutIav 435.0
482.07.090
2.13
(min)
=== η
A
K
x
uf
Dx
Lp
VinI 603.0
45
482.0
1600
90(min) ===Δ
AIp 737.0
2
603.0435.0 =+=
z 决定辅助电源的圈数:
假设辅助电源=12V
12
8.3
1
=
AN
Ns
12
8.32
1
=
AN
NA1=6.3圈
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假设使用 0.23ψ的线
可绕圈数= 圈13.19
)02.023.0(
4.4 =+
若NA1=6Tx2P,则辅助电源=11.4V
z 决定MOSFET及二次侧二极管的 Stress(应力):
MOSFET(Q1) =最高输入电压(380V)+ ( )DVVoNs
Np +
= ( )5.03.3
2
44380 ++
=463.6V
Diode(D5)=输出电压(Vo)+
Np
Ns
x最高输入电压(380V)
= 380
44
23.3 x+
=20.57V
Diode(D4)= )380()( 2 VxNp
NsN A 最高輸入電壓輸出電壓 +
= 380
44
46.6 x+ =41.4V
z 其它:
因为输出为 3.3V,而 TL431的 Vref值为 2.5V,若再加上 photo coupler上的压降约
1.2V,将使得输出电压无法推动 Photo coupler及 TL431,所以必须另外增加一组线
圈提供回授路径所需的电压。
假设NA2 = 4T使用 0.35ψ线,则
可绕圈数= ( ) T58.1103.035.0
4.4 =+ ,所以可将NA2定为 4Tx2P
22
8.3
AA VN
Ns = VV
V AA
6.78.3
4
2
2
2
=⇒=
z Gaussx
x
xGaussx
NpxAe
LpxIpB 3.3116100
86.044
737.01600)(100(max) ===
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z 变压器的接线图:
0.23Φx2Px6T
0.32Φx1Px22T
0.32Φx1Px22T
0.35Φx2Px4T
0.35Φx4Px2T
3.3 零件选用:
零件位置(标注)请参考线路图: (DA-14B33 Schematic)
3.3.1 FS1:
由变压器计算得到 Iin值,以此 Iin值(0.42A)可知使用公司共享料 2A/250V,设计时亦须考虑 Pin(max)时的
Iin是否会超过保险丝的额定值。
3.3.2 TR1(热敏电阻):
电源激活的瞬间,由于 C1(一次侧滤波电容)短路,导致 Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对 Power
产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间 Iin在 Spec之内(115V/30A,
230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用 SCK053(3A/5
Ω),若 C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的 Power上)。
3.3.3 VDR1(突波吸收器):
当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响 Power的正常动作,所以必须在靠 AC输入端 (Fuse之后),
加上突波吸收器来保护 Power(一般常用 07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装。
3.3.4 CY1,CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分为 Y1及 Y2电容,若 AC Input有 FG(3 Pin)一般使用 Y2- Cap , AC Input若为 2Pin(只有
L,N)一般使用 Y1-Cap,Y1与 Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双
重绝缘,绝缘耐压约为 Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明 Y1),此电路因为有 FG所
以使用 Y2-Cap,Y-Cap会影响 EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage
Current )必须符合安规须求(3Pin公司
标准
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为 750uA max)。
3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap为防制 EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction
规范
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一般可分为: FCC Part
15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 , FCC测试频率在 450K~30MHz,CISPR 22测试频率
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在 150K~30MHz, Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则必须到实验室验证,X-Cap 一
般对低频段(150K ~ 数M之间)的 EMI防制有效,一般而言 X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),
若 X-Cap在 0.22uf以上(包含 0.22uf),安规
规定
关于下班后关闭电源的规定党章中关于入党时间的规定公务员考核规定下载规定办法文件下载宁波关于闷顶的规定
必须要有泄放电阻(RX1,一般为 1.2MΩ 1/4W)。
3.3.6 LF1(Common Choke):
EMI防制零件,主要影响 Conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑 EMI特性及温升,以同样尺寸
的 Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制效果愈好,但温升可能较高。
3.3.7 BD1(整流二极管):
将 AC电源以全波整流的方式转换为 DC,由变压器所计算出的 Iin值,可知只要使用 1A/600V的整流二
极管,因为是全波整流所以耐压只要 600V即可。
3.3.8 C1(滤波电容):
由 C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的 Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部
分可在电路中实际验证 Vin(min)是否正确,若 AC Input 范围在 90V~132V (Vc1 电压最高约 190V),可使
用耐压 200V的电容;若 AC Input 范围在 90V~264V(或 180V~264V),因 Vc1电压最高约 380V,所以必须
使用耐压 400V的电容。
3.3.9 D2(辅助电源二极管):
整流二极管,一般常用 FR105(1A/600V)或 BYT42M(1A/1000V),两者主要差异:
1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)
2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)
3.3.10 R10(辅助电源电阻):
主要用于调整 PWM IC的 VCC电压,以目前使用的 3843而言,设计时 VCC必须大于 8.4V(Min. Load时),
但为考虑输出短路的情况,VCC电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。
3.3.11 C7(滤波电容):
辅助电源的滤波电容,提供 PWM IC较稳定的直流电压,一般使用 100uf/25V电容。
3.3.12 Z1(Zener 二极管):
当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可
能会造成零件损坏,若在 3843 VCC与 3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会
崩溃,使得Pin3 脚提前到达 1V,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.Z1 值的大小取决于辅助电
源的高低,Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用 1/2W即可).
3.3.13 R2(激活电阻):
提供 3843第一次激活的路径,第一次激活时透过 R2对 C7充电,以提供 3843 VCC所需的电压,R2阻
值较大时,turn on的时间较长,但短路时 Pin瓦数较小,R2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时 Pin
瓦数较大,一般使用 220KΩ/2W M.O。.
3.3.14 R4 (Line Compensation):
高、低压补偿用,使 3843 Pin3脚在 90V/47Hz及 264V/63Hz接近一致(一般使用 750KΩ~1.5MΩ 1/4W之
间)。
3.3.15 R3,C6,D1 (Snubber):
此三个零件组成 Snubber,调整 Snubber的目的:1.当 Q1 off瞬间会有 Spike产生,调整 Snubber可以确保
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Spike不会超过 Q1的耐压值,2.调整 Snubber可改善 EMI.一般而言,D1 使用 1N4007(1A/1000V)EMI 特
性会较好.R3使用 2W M.O.电阻,C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压 500V的陶质电容)。
3.3.16 Q1(N-MOS):
目前常使用的为 3A/600V及 6A/600V两种,6A/600V的RDS(ON)较 3A/600V小,所以温升会较低,若IDS电流
未超过 3A,应该先以 3A/600V为考量,并以温升记录来验证,因为 6A/600V的价格高于 3A/600V许多,
Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。
3.3.17 R8:
R8的作用在保护 Q1,避免 Q1呈现浮接状态。
3.3.18 R7(Rs电阻):
3843 Pin3脚电压最高为 1V,R7的大小须与 R4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用 2W M.O.电阻,
设计时先决定 R7后再加上 R4补偿,一般将 3843 Pin3脚电压设计在 0.85V~0.95V之间(视瓦数而定,若
瓦数较小则不能太接近 1V,以免因零件误差而顶到 1V)。
3.3.19 R5,C3(RC filter):
滤除 3843 Pin3脚的噪声,R5一般使用 1KΩ 1/8W,C3一般使用 102P/50V的陶质电容,C3若使用电容
值较小者,重载可能不开机(因为 3843 Pin3瞬间顶到 1V);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短
路 Pin过大的问题。
3.3.20 R9(Q1 Gate电阻 ):
R9电阻的大小,会影响到 EMI及温升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度较慢,EMI特
性较好,但 Q1的温升较高、效率较低(主要是因为 turn off速度较慢);若阻值较小, Q1 turn on / turn off
的速度较快,Q1温升较低、效率较高,但 EMI较差,一般使用 51Ω-150Ω 1/8W。
3.3.21 R6,C4(控制振荡频率):
决定 3843的工作频率,可由 Data Sheet得到 R、C组成的工作频率,C4一般为 10nf的电容(误差为 5%),
R6使用精密电阻,以 DA-14B33为例,C4使用 103P/50V PE电容,R6为 3.74KΩ 1/8W精密电阻,振荡
频率约为 45 KHz。
3.3.22 C5:
功能类似 RC filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用 101P/50V陶质电容。
3.3.23 U1(PWM IC):
3843是PWM IC的一种,由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小,Pin3脚具有限流的作用(最
高电压 1V),目前所用的 3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种,两者脚位相同,但产
生的振荡频率略有差异,UC3843BN较KA3843快了约 2KHz,fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、
短路问题),因KA3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用UC3843BN。
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3.3.24 R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):
3843内部有一个 Error AMP(误差放大器),R1、R11、R12、C2及 Error AMP组成一个负回授电路,用来
调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般 C2使用立式积
层电容(温度持性较好)。
3.3.25 U2(Photo coupler)
光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的 TL431 导通后,
U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时 3843由 Pin6 (output)输出 off的信号(Low)来关闭 Q1,
使用 Photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需 5.6mm)。
3.3.26 R13(二次侧回路增益控制):
控制流过 Photo coupler的电流,R13阻值较小时,流过 Photo coupler的电流较大,U2转换电流较大,回
路增益较快(需要确认是否会造成振荡),R13阻值较大时,流过 Photo coupler的电流较小,U2转换电流
较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常。
3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18
调整输出电压的大小,
( )
( )16//15
1816//13
RR
RRRxVrefVo += ,输出电压不可超过 38V(因为TL431 VKA最
大为 36V,若再加Photo coupler的VF值,则Vo应在 38V以下较安全),TL431的Vref为 2.5V,R15及R16并
联的目的使输出电压能微调,且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在 2KΩ以下),以免造成输出不准。
3.3.28 R14,C9(二次侧回路增益控制):
控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好
与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以 Dynamic load
来量测,即可取得一个最佳值。
3.3.29 D4(整流二极管):
因为输出电压为 3.3V,而输出电压调整器 (Output Voltage Regulator)使用 TL431(Vref=2.5V)而非
TL432(Vref=1.25V),所以必须多增加一组绕组提供 Photo coupler 及 TL431 所需的电源,因为 U2 及 U3
所需的电流不大(约 10mA左右),二极管耐压值 100V即可,所以只需使用 1N4148(0.15A/100V)。
3.3.30 C8(滤波电容):
因为 U2及 U3所需的电流不大,所以只要使用 1u/50V即可。
3.3.31 D5(整流二极管):
输出整流二极管,D5的使用需考虑:
a. 电流值
b. 二极管的耐压值
以DA-14B33为例,输出电流 4A,使用 10A的二极管(Schottky)应该可以,但经点温升验证后发现D5温度
偏高,所以必须换为 15A的二极管,因为 10A的VF较 15A的VF 值大。耐压部分 40V经验证后符合,因此
最后使用 15A/40V Schottky。
3.3.32 C10,R17(二次侧 snubber) :
D5 在截止的瞬间会有 spike 产生,若 spike 超过二极管(D5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整
snubber可适当的减少 spike的电压值,除保护二极管外亦可改善 EMI,R17一般使用 1/2W的电阻,C10
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設計流程簡介
一般使用耐压 500V的陶质电容,snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意 R17,C10是否会过热,应避免此
种情况发生。
3.3.33 C11,C13(滤波电容):
二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:
a. 输出 Ripple电压是符合规格
b. 电容温度是否超过额定值
c. 电容值两端电压是否超过额定值
3.3.34 R19(假负载):
适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超
过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。
3.3.35 L3,C12(LC滤波电路):
LC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将 L3 放大(电感量较大),如此 C12可
使用较小的电容值。
4 设计验证:(可分为三部分)
a. 设计阶段验证
b. 样品制作验证
c. QE验证
4.1 设计阶段验证
设计实验阶段应该养成记录的习惯,记录可以验证实验结果是否与电气规格相符,以下即就 DA-14B33设计阶段验
证做说明(验证项目视规格而定)。
4.1.1 电气规格验证:
4.1.1.1 3843 PIN3脚电压(full load 4A) :
90V/47Hz = 0.83V
115V/60Hz = 0.83V
132V/60Hz = 0.83V
180V/60Hz = 0.86V
230V/60Hz = 0.88V
264V/63Hz = 0.91V
4.1.1.2 Duty Cycle , fT:
%5.47
35.21
15.10
8.46
47/90
=
=
=
=
CycleDuty
usT
uston
KHzf
HzV
T
%2.15
35.21
25.3
8.46
60/264
=
=
=
=
CycleDuty
ust
uston
KHzf
HzV
T
4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)
4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :
Q1 MOSFET:
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設計流程簡介
D5:
D4:
4.1.1.5 辅助电源(开机,满载)、短路 Pin max.:
.)(max2.1
)4(26.11
)0.18A(8.4V
47/90
W
AVHzV
=
=
=
短路
滿載
開機
.)(max8.8
)4(26.11
)0.13A(8.4V
63/264
W
AVHzV
=
=
=
短路
滿載
開機
4.1.1.6 Static (full load)
Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff
90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7
115V/60Hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1
132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1
180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7
10/14
設計流程簡介
230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9
264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9
90V/47Hz = OK
115V/60Hz = OK
132V/60Hz = OK
180V/60Hz = OK
230V/60Hz = OK
264V/63Hz = OK
4.1.1.7 Full Range负载(0.3A-4A)
(验证是否有振荡现象)
4.1.1.8 回授失效(输出轻载)
90V/47Hz � Vout = 8.3V
264V/63Hz � Vout = 6.03V
4.1.1.9 O.C.P.(过电流保护)
90V/47Hz = 7.2A
264V/63Hz = 8.4A
4.1.1.10 Pin(max.)
90V/47Hz = 24.9W
264V/63Hz = 27.1W
4.1.1.11 Dynamic test
H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise)
L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full)
90V/47Hz
264V/63Hz
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設計流程簡介
4.1.1.12 HI-POT test:
HI-POT test一般可分为两种等级:
¾ 输入为 3 Pin(有 FG者),HI-POT test为 1500Vac/1 minute。Y-CAP使用 Y2-CAP
¾ 输入为 2 Pin(无 FG者),HI-POT test为 3000Vac/1 minute。Y-CAP使用 Y1-CAP
DA-14B33属于输入 3 PIN HI-POT test 为 1500Vac/1 minute。
4.1.1.13 Grounding test:
输入为 3 Pin(有 FG者),一般均要测接地阻(Grounding test),安规规定 FG到输出线材(输出端)的接
地电阻不能超过 100mΩ(25A/3 Second)。
4.1.1.14 温升记录
设计实验定案后(暂定),需针对整体温升及 EMI做评估,若温升或 EMI无法符合规格,则需重新
实验。温升记录请参考附件,D5原来使用 BYV118(10A/40V Schottky),因温升较高改为
PBYR1540CTX(15A/40V)。
4.1.1.15 EMI测试:
EMI测试分为二类:
¾ Conduction(传导干扰)
¾ Radiation(幅射干扰)
前者视规范不同而有差异(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用厂内的频谱
分析仪验证;后者(范围由 30M - 300MHz,则因厂内无设备必须到实验室验证,Conduction,Radiation
测试数据请参考附件) 。
4.1.1.16 机构尺寸:
设计阶段即应对机构尺寸验证,验证的项目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位
置及孔径、外壳孔寸….,若设计阶段无法验证,则必须在样品阶段验证。
4.1.2 样品验证:
样品制作完成后,除温升记录、EMI测试外(是否需重新验证,视情况而定),每一台样品都应经过验证(包
括电气及机构尺寸),此阶段的电气验证可以以 ATE(Chroma)测试来完成,ATE测试必须与电气规格相符。
4.1.3 QE验证:
QE针对工程部所提供的样品做验证,工程部应提供以下交件及样品供 QE验证。
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設計流程簡介
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設計流程簡介 設計流程簡介
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4 设计验证:(可分为三部分)
a. 设计阶段验证
4.1 设计阶段验证