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高压静电发生器电路设计 集成电路通讯 2000年第 2期 一 t 高压静电发生器电路设计 (山东大学电子工程系 济南 250100) 刊 77t/~4-.9-" 摘 要 介绍 j一种高压静电发生器的实用电路。该电路采用集成电路设计,结构简单 性能稳定、可靠。 关键词 高压静电发生器 集成电路 引 言 在喷塑、喷漆等表面处理中.高压静电发 生器是必需的设备。通常生产的高压静电发 生器主要以分立元件组成,电路复杂且容易 损坏。为此.结合生产中的实际需要,我们研 制生产了一种以集成器件为主的高压静...

高压静电发生器电路设计
集成电路通讯 2000年第 2期 一 t 高压静电发生器电路 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 (山东大学电子工程系 济南 250100) 刊 77t/~4-.9-" 摘 要 介绍 j一种高压静电发生器的实用电路。该电路采用集成电路设计,结构简单 性能稳定、可靠。 关键词 高压静电发生器 集成电路 引 言 在喷塑、喷漆等表面处理中.高压静电发 生器是必需的设备。通常生产的高压静电发 生器主要以分立元件组成,电路复杂且容易 损坏。为此.结合生产中的实际需要,我们研 制生产了一种以集成器件为主的高压静电发 生器。 l 电路介绍 高压静电发生器整体电路可以分为两大 部分:控制部分和高压产生部分。 1.1 控制部分 1.1 l 电源电压电路 为产生可调高压静电输出,本 电路采用 调节输入直流电压的方式。因为总的输出功 率较小,所以电路采用简单的输出电压可调 的三端稳压器LM317。LM317的最大输出 电流可以达到 3A,足以满足电路的供电要 求。具体电路如图 l所示。 LM317的用法与LM78/79系列稳压器 一 样.其中C1为防自激电容。LM317的输 固 l 电源电压电路 维普资讯 http://www.cqvip.com 2000年第2期 集成电路通讯 13 出电压由R1与 R2决定,其关系为 Vo=1 25×(1+R1/R2)+5O越 ×R2 LM317的最大输入电压为45V,在输入 电压为28V时,合理选择电路参数,可以获 得1.25~24v的连续输出。 为保证电路可靠工作,整流桥 B1的额 定电流应大于 5A,耐压大于 100V。另外, LM317应有足够的散热面积。 电压电路的另一部分为驱动脉冲产生电 路所需要的电压产生电路。该部分 由一 LM7805提供。 1 1 2 驱动脉冲产生电路 驱动脉冲产生电路为高压产生部分提供 所需要的开关脉冲信号。该部分电路由六旄 密特触发器SN74AHC14和四2输入与非门 sN74AHC0O和少量电阻、电容及二极管组 成。SN74AHC14和R3、R4、D1、D2、D7构成 多谐振荡器,产生占空比约 50%的方波。 sN74AHCo0构成一个触发器,作为开关消 抖电路,如图2所示。在喷枪不工作时.触发 器输出为 0,Q1没有输出,高压电路不工作; 喷枪工作时,开关 K1被按下,触发器输出为 高电平.多谐振荡器产生的震荡脉冲经三极 管 T1放大后,驱动高压产生电路工作,产生 高压静电输出。 图 2 驱动脉 冲产 生电路 图3 高压产生电路 I I ’ 丘..— -一 维普资讯 http://www.cqvip.com 14 集成电路通讯 2000年第2期 1.2 高压产生部分 高压部分由三极管放大器、高压包和倍 压整流器(100倍)组成。高压包采用黑白电 视中的普通高压包即可。由驱动脉冲产生电 路产生的驱动脉冲驱动三极管放大器在高压 包低压端产生大电流脉动信号,从而在高压 端产生高压脉冲。该高压脉冲经倍压整流 后,可以产生最高达 100万伏以上的高压静 电。如图 3所示。为保证电路的可靠性,372 与 c8的耐压应大于 200V;另外,还应根据 输出功率确定 372的工作电流,合理选择 372 及散热器的尺寸,在保证足够冗余的前提下 尽量降低成本及体积。 2 结论 该电路结构简单、工作稳定、体积小、价 格低廉.并在实际应用中获得成功。是一个 切实可行的实用电路。 参考文献 1 郝鸿安.常用模拟集成 电路应用手 册.人民邮电出版社,1991 2 阎 石.数字电子技术基础.高等教 育出版社,1989 l上接第2页J 这样有利于光刻、刻蚀的控制,有利于第二层 铝的爬坡。 6 高温热过程的控制 工艺中有两步高温热过程直接影响器件 的性能,即增密和孔回流。对没有淡硼注入 的PMOS管,受影响的程度更大,对 NMOS 管的源漏区同铝的接触也至关重要。因此在 工艺中,对这两步高温过程的温度、时间要根 据器件参数要求进行优化和调整.以保证 NMOS、PMOS管的性能都能达到要求。 7 结柬语 在工艺研究开发的过程中,还形成了 1.5bcm双层金属布线 N阱 CMOS版图设计 规则及工艺流程和规范。本工艺已成功地应 用于1.5/~mCMOSN阱 16位乘法器电路及 其它电路的研制中。 c上接第 u页) 而产生的共模干扰。高频变压器选 用 EI28 型磁芯,均用 O0.32mm的高强度漆包线绕 制。初级绕组N =45匝,次级绕组 需双 股共绕 6匝,反馈绕组 N3需双股并绕 5匝。 参考文献 1 Power.SuppLemental Data Book and Design Gaffde,1998 2 抄占友.新型特种集成电源及其应 用.北京;人民邮电出版社,1998 维普资讯 http://www.cqvip.com
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