DB3 SIYU R
ABSOLUTE RATINGS ( LIMITING VALUES )
1.0(25.4)
MIN
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
MIN
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA
DIA
.034(0.9)
.028(0.7)
DO-41
Unit：inch（mm）
Symbols
Pc
ITRM
TSTG/TJ
Parameters
Power Dissipation on Printed
Circuit [ L=10mm ]
Repetitive Peak on-state
Current
Storage and 0 perating Junction Temperature
TA=50℃
tp=10s
F=100Hz
Value
DB3
Units
mW
A
℃
150
2.0
-40 to +125 / -40 to 110
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbols
VBO
Parameters
Breakover Voltage [Note 2 ]
Value
DB3
UnitsTest Conditions
I + VIBO
I - VIBO
Breakover Voltage Symmetry
Dynamic Breakover Voltage [Note 1 ]
Output Voltage [Note 1 ]
Breakover Current [Note 1 ]
Rise Time [Note 1 ]
Leakage Current [Note 1 ]
I ± △VI
Vo
IBO
tr
IB
C=22nF [Note 2 ]
See Diagram 1
C=22nF [Note 2 ]
See Diagram 1
△I=[ IBO to IF=10mA ]
See Diagram 1
See Diagram 2
C=22nF [Note 2 ]
See Diagram 3
See Diagram 1
VBBO=0.5V max
Min
Typ
Max
Max
Min
Min
Max
Typ
Max
V
A
S
A
V
V
V
± 3
5
5
100
1.5
10
28
36
Notes:1.Electrical characteristics applicable in both forward and reverse directions.
2.Connected in parallel with the devices.
32
SILICON BIDIRECTIONAL DIAC
双向触发二极管
特征 Features
·低的反向漏电流 Low reverse leakage
·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability
·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:
250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。 5 lbs. (2.3kg) tension
机械数据 Mechanical Data
·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end
·安装位置: 任意 Mounting Position: Any
- 343 - 大昌电子 DACHANG ELECTRONICS
Tel:0513-87201088 www.dachang.com.cn
DB3 SIYU R
+IF
10mA
IBO
IB
-V
-IF
VBO
+V
△V
0.5V BO
500K10K
200V
50Hz
0.1F
D.U.T
Vo R=20
tr
10%
90% Ip
DIAGRAM 1: Current-voltage characteristics DIAGRAM 2: Test circuit for output voltage
DIAGRAM 3: Test circuit see diagram 2 adjust R for
Ip =0.5A
10 100 1000 10000
0.01
0.1
1
2
tp[ s ]
F=100Hz
TJ initial=25℃
TJ(℃)
25 50 75 100 125
1.00
1.02
1.04
1.06
1.08
Tamb [℃]
P [mW]
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
FIG.1-Power dissipation versus ambient
temperature ( maximum values )
FIG.2-Relative variation of VBO versus junction
temperature ( typical values )
FIG.3-Peck pulse current versus pluse duration
( maximum values )
大昌电子 DACHANG ELECTRONICS - 344 -
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